概览
描述
The NP50P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特性
- Low on-state resistance RDS(on) = 8.4 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A)
- Low Ciss: Ciss = 2300 pF TYP. (VDS = −25 V, VGS = 0 V)
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
- Small size package 8-pin HSON
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应用
文档
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 230 KB | |
| 指南 | PDF 796 KB | |
| 应用说明 | PDF 3.23 MB 日本語 | |
| 产品可靠性报告 | PDF 222 KB | |
| 应用说明 | PDF 648 KB 日本語 | |
| 宣传手册 | PDF 2.24 MB | |
6 items
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设计和开发
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