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RBA300N10EHPF-5UA02

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REXFET-1 N 沟道功率 MOSFET 100V-340A-1.5mΩ

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RBA300N10EHPF-5UA02 Datasheet

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Renesas的 TOLG 技术采用超紧凑的海鸥翼式引脚设计，可提高热性能、电源管理效率，并改善板载热循环性能。 Renesas 的新型分离栅极技术适用于需要低 RDS（on） 和重视开关性能的应用，是高功率和高频应用的理想选择。

RBA300N10EHPF-5UA02 Package Circuit
RBA300N10EHPF-5UA02 Package Circuit
  • 标准电平栅极驱动电压：VGS（th） = 2.0V ~ 4.0V
  • 超低导通电阻：RDS（on） = 1.5mΩ Max.
  • 低输入电容
  • 低热阻
  • 符合 AEC-Q101 标准
  • 支持 PPAP
  • 无铅电镀：符合 RoHS 标准
  • MSL1(依据IPC/JEDEC J-STD-020)

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扩展 ECAD 模块
Diagram of ECAD Models

模型
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