瑞萨电子 GaN FET 驱动器专为驱动氮化镓（GaN）FET 设计，适用于商用及抗辐射系统中的隔离与非隔离拓扑结构。
具有高压侧和低压侧驱动器，针对 HB 和 FB 拓扑进行了优化，可大幅减少元件数量。
该创新技术最大限度地减少了损耗，提高了效率，确保了 GaN 器件的稳健设计。
瑞萨电子的整体解决方案集成 PWM 和 SR 控制器，利用先进的节能技术实现绿色电源设计。
