高侧 FET 驱动器允许采用 N 沟道 MOSFET 替代传统 P 沟道器件，从而在台式机、笔记本电脑及上网本应用中实现电源轨高效、线性的开关控制。 这种方法显著减少了元器件数量，通过降低漏电流降低了睡眠模式下的功耗，并最大限度地缩小了 PCB 占用面积 — 同时成本与现有解决方案相当。
此外，高侧 FET 驱动器支持通过可控压摆率或延时实现负载开关，助力产品在不增加系统成本的前提下，达到目前和未来的 EnergyStar® 规范要求。
