特性
- 工作电源电压：
- VBRIDGE：6V 至 65V（最大绝对值 78V）
- VM：6V 至 60V（最大绝对值 65V）
- 工作环境温度：-40 °C 至 125 °C
- 用于 BLDC 应用的 3 相栅极驱动器
- 用于 BLDC 应用的 3 相栅极驱动器
- 0.64A/1.28A 峰值拉电流/灌电流
- 带 16 级可调节驱动强度
- 自适应且可调节的死区时间
- 灵活的栅极驱动器配置
- 3 相 HI/LI 模式和 3 相 PWM 模式
- 输入控制信号配置
- 支持半桥、全桥配置
- 全集成式电源架构
- 两个 VCC LDO 实现了休眠模式的低 IQ
- 500mA 降压开关稳压器产生驱动力电压 （5V 至 15V 可调节电压）
- 用于 MCU 供电的 100mA 可调节输出 LDO （3.3V至5V 可调节）
- 三个精确的差分放大器
- 四级感应增益设置
- 支持加电期间及实时的 DC 偏移校准
- 用于无传感器电机驱动的 BEMF 感测放大器
- 用于霍尔传感器电机驱动的三个比较器
- 集成的保护功能
- 7mm x 7mm 48 Ld QFN 封装（0.5mm 间距）
描述
RAA306012 是一款适用于 3 相无刷直流 (BLDC) 电机应用的智能MOSFET 栅极驱动器。 RAA306012 集成了三个半桥栅极驱动器，这些驱动器能够驱动多达 3 个 N沟道 MOSFET 桥，且支持 6V 至 65V 的桥电压。 每个栅极驱动器支持高达 0.64A 的拉电流及 1.28A 灌电流的峰值驱动电流，并具备可调节的驱动强度控制。 自适应且可调节的死区时间设计可确保产品兼具稳健性与灵活性。 主动栅极保持机制能够避免米勒效应引起的交叉传导现象，进一步增强了产品的稳健性。
该设备集成了为内部模拟及逻辑电路、高压侧/低压侧栅极驱动器供电的电源，以及专为外部控制器供电的电源。 RAA306012 还具备低功耗休眠模式。该模式的功耗仅为 28μA，能够最大限度地延长便携式应用中电池的使用时间。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Function | 3 Phase BLDC Driver |
| Input Voltage Range (V) | - |
| Input Voltage (Max) (V) | 78 |
| VBIAS (Max) (V) | 65 |
| Quiescent Current | 20 µA |
| ISOURCE (Max) (mA) | 640 |
| ISINK (Max) (mA) | 1280 |
| Internal Buck Regulator | Buck 500mA |
| Gate Drive (V) | 15 |
| Internal Auxiliary Power | LDO (5V or 3.3V) 100mA |
| Adaptive Dead Time | Yes |
| VOUT Slew-rate Control | Yes |
| Charge Pump | Yes |
| Intern Gain Amplifiers | 3 |
| Internal Sample & Hold | Yes |
| Input Control | HI/LI or PWM |
| Input Logic Level | 1.5V/TTL |
| Advanced Fault Protection | Yes |
| Qualification Level | Standard |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| QFN | 7.0 x 7.0 x 0.75 | 48 | 0.5 |
