特性
- 瑞萨电子第 8 代沟槽 IGBT
- 短路耐受时间（最小 10µs）
- 针对高功率应用进行了优化
- 未切割晶圆
- 晶圆尺寸 = 200mm
- 质量等级：标准
描述
瑞萨电子的第 8 代绝缘栅双极晶体管（IGBT）在工艺结构中使用了独特的沟槽栅极配置。 与前几代 IGBT 相比，该器件提供更快的开关性能。 该器件还通过降低饱和电压，降低了传导损耗。
我们的 1800V - 200A/100A IGBT 针对风力发电和太阳能逆变器等大功率应用进行了优化。
应用
- 风力发电
- 太阳能逆变器
当前筛选条件
加载中