跳转到主要内容

概览

描述

瑞萨电子的第 8 代绝缘栅双极晶体管(IGBT)在工艺结构中使用了独特的沟槽栅极配置。 与前几代 IGBT 相比,该器件提供更快的开关性能。 该器件还通过降低饱和电压,降低了传导损耗。

我们的 1800V - 400A/200A IGBT 针对风力发电和太阳能逆变器等大功率应用进行了优化。

特性

  • 瑞萨电子第 8 代沟槽 IGBT
  • 短路耐受时间(最小 10μs)
  • 针对高功率应用进行了优化
  • 未切割晶圆
  • 晶圆尺寸 = 200mm
  • 质量等级:标准

产品对比

应用

文档

类型 文档标题 日期
数据手册 PDF 311 KB
应用说明 PDF 521 KB 日本語
应用说明 PDF 881 KB 日本語
应用说明 PDF 712 KB 日本語
应用说明 PDF 842 KB
5 项目

设计和开发

模型

ECAD 模块

点击产品选项表中的 CAD 模型链接,查找 SamacSys 中的原理图符号、PCB 焊盘布局和 3D CAD 模型。如果符号和模型不可用,可直接在 SamacSys 请求该符号或模型。

Diagram of ECAD Models

产品选项

当前筛选条件

支持

支持社区

支持社区

在线询问瑞萨电子工程社群的技术人员,快速获得技术支持。
浏览常见问题解答

常见问题

浏览我们的知识库,了解常见问题的解答。
提交工单

提交工单

需要咨询技术性问题或提供非公开信息吗?