封装信息
| Pkg. Type | Wafer |
环境和出口类别
| ECCN (US) | 5A002 |
| Pb (Lead) Free | No |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | |
| HTS (US) |
产品属性
| Pkg. Type | Wafer |
| Channels (#) | 1 |
| IC @25 °C (A) | 400 |
| Lead Compliant | Yes |
| MOQ | 1 |
| Nch/Pch | Nch |
| Pb (Lead) Free | No |
| Series Name | RBNxxN180S2 Series |
| Tape & Reel | No |
| VCE (sat) (V) | 1.6 |
| VCES (V) | 1800 |
| tsc (μs) | 10 |
有关 RBN200N180S2HFWA 的资源
描述
瑞萨电子的第 8 代绝缘栅双极晶体管（IGBT）在工艺结构中使用了独特的沟槽栅极配置。 与前几代 IGBT 相比，该器件提供更快的开关性能。 该器件还通过降低饱和电压，降低了传导损耗。
我们的 1800V - 400A/200A IGBT 针对风力发电和太阳能逆变器等大功率应用进行了优化。