特性
- 沟槽栅极和薄晶圆技术（G8H 系列）
- 内置快速恢复二极管，采用一个封装
- 集电极至发射极饱和电压 VCE (sat) = 1.5V（典型值） （IC = 50A，VGE = 15V，Ta = 25 °C）
- 质量等级：标准
- 高速开关
- 非短路专用
描述
RBN50H65T1FPQ-A0 650V、50A 沟槽式绝缘栅双极晶体管（IGBT）集电极到发射极饱和电压低，内置快速恢复二极管（FRD），可用于功率开关应用。 该器件采用 TO-247A 封装。
应用
- UPS
- 焊接
- 光伏逆变器
- 电源转换器系统
当前筛选条件
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