特性
- 沟槽栅极和薄晶圆技术（G8H 系列）
- 内置快速恢复二极管，采用一个封装
- 集电极至发射极饱和电压 VCE (sat) = 1.8V （典型值） （IC = 75A，VGE = 15V，Ta = 25 °C）
- 质量等级：标准
- 高速开关
- 短路耐受时间（最小 10μs）
描述
RBN75H125S1FP4-A0 1250V、75A 沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供低集电极至发射极饱和电压、内置快速恢复二极管（FRD），可用于电源开关应用。 该器件采用 TO-247A 封装。
应用
- UPS
- 焊接
- 光伏逆变器
- 电源转换器系统
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