特性
- 针对电流谐振应用进行了优化
- 集电极至发射极饱和电压 VCE (sat) = 1.5V（典型值） （IC = 30A，VGE = 15V，Ta = 25 °C）
- 内置快速恢复二极管，采用一个封装
- 沟槽栅极和薄晶圆技术
- 高速开关 tf = 45ns（典型值） （VCC = 400V，VGE = 15V，IC = 30A，Rg = 10Ω，Ta = 25 °C，电感负载）
- 低尾部损耗 Etail = 160μJ 典型值。 （VCC = 300V，VGE = 20V，IC = 50A，Rg = 15Ω，Tc = 125 °C，电流谐振电路）
描述
RJH60T04DPQ-A1 600V、30A 沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供低集电极至发射极饱和电压、内置快速恢复二极管（FRD），可用于电流谐振电路应用。 该器件采用 TO-247A 封装。 该器件采用 TO-247A 封装。
应用
- 电流谐振电路
当前筛选条件
加载中