概览
描述
The RJH65S04DPQ-A0 is a 650V 100A Single Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) for inverter applications.
特性
- Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
- Built in fast recovery diode in one package
- Trench gate and thin wafer technology
- High-Speed switching tf = 80 ns typ. (at CC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 50 A, Rg = 10 Ω, Tj = 125°C, inductive load)
产品对比
应用
文档
相关文档
请登录后开启订阅
|
|
|
|
|---|---|---|
| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 65 KB | |
| 宣传手册 | PDF 5.41 MB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 648 KB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 506 KB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 941 KB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 1.05 MB 日本語 | |
| 宣传手册 | PDF 3.28 MB | |
| 宣传手册 | PDF 11.56 MB | |
| 宣传手册 | PDF 1.32 MB | |
|
9 项目
|
||
设计和开发
模型
ECAD 模块
点击产品选项表中的 CAD 模型链接，查找 SamacSys 中的原理图符号、PCB 焊盘布局和 3D CAD 模型。如果符号和模型不可用，可直接在 SamacSys 请求该符号或模型。
产品选项
当前筛选条件