瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation)
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RJH65T14DPQ-A0

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IGBT 650V 50A TO-247A 内置 FRD

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特性

  • 针对电流谐振应用进行了优化
  • 集电极至发射极饱和电压 VCE (sat) = 1.45V（典型值） （IC = 50A，VGE = 15V，Ta = 25 °C）
  • 内置快速恢复二极管，采用一个封装
  • 沟槽栅极和薄晶圆技术

描述

RJH65T14DPQ-A0 650V、50A 沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供低集电极至发射极饱和电压、内置快速恢复二极管（FRD），可用于感应加热和微波炉应用。 该器件采用 TO-247A 封装。

应用

  • 感应加热
  • 微波炉

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