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描述

RJH65T14DPQ-A0 650V、50A 沟槽绝缘栅双极晶体管(IGBT)提供低集电极至发射极饱和电压、内置快速恢复二极管(FRD),可用于感应加热和微波炉应用。 该器件采用 TO-247A 封装。

特性

  • 针对电流谐振应用进行了优化
  • 集电极至发射极饱和电压 VCE (sat) = 1.45V(典型值) (IC = 50A,VGE = 15V,Ta = 25 °C)
  • 内置快速恢复二极管,采用一个封装
  • 沟槽栅极和薄晶圆技术

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类型 文档标题 日期
模型 - SPICE LIB 2 KB
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