瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation)
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RJP65S08DWA

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IGBT 650V 200A 晶圆

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特性

  • 集电极至发射极饱和电压 VCE (sat) = 1.5V（典型值） （IC = 200A，VGE = 15V，TC = 25°C）
  • 高速开关
  • 短路耐受时间（最小 10μs）

描述

RJP65S08DWA 650V、200A 绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供高速开关、低集电极到发射极饱和电压，并提供未切割晶圆封装类型。

应用

  • 逆变器

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