特性
- 集电极至发射极饱和电压 VCE (sat) = 1.8V （典型值） （IC = 20A，VGE = 15V，Ta = 25 °C）
- 隔离封装
- 沟槽栅极和薄晶圆技术（G7H系列）
- 高速开关 tf = 45ns（典型值） （VCC = 400V，VGE = 15V ，IC = 20A，Rg = 10Ω，Ta = 25 °C，电感负载）
- 工作频率（20kHz ≤ f ˂ 100kHz）
- 不保证短路耐受时间
描述
RJP65T43DPM 650V、20A 沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT）集电极峰值电流为 150A，提供通孔安装，采用 TO-3PFM 封装。
应用
高速开关
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