瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation)
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RJP65T54DPM-A0

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IGBT 650V 30A TO-3PFP

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特性

  • 集电极至发射极饱和电压 VCE (sat) = 1.35V（典型值） （IC = 30A，VGE = 15 V，Ta = 25 °C）
  • 隔离封装
  • 沟槽栅极和薄晶圆技术（G7H系列）
  • 高速开关
  • 工作频率（50Hz ≤ f ˂ 20kHz）
  • 不保证短路耐受时间

描述

RJP65T54DPM-A0 650V、60A 沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供通孔安装，采用 TO-3PFP 封装。

应用

  • 部分开关电路

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