RJP65T54DPM-A0

描述

RJP65T54DPM-A0 650V、60A 沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供通孔安装，采用 TO-3PFP 封装。

特性

• 集电极至发射极饱和电压 V_{CE (sat)} = 1.35V（典型值） （I_C = 30A，V_GE = 15 V，Ta = 25 °C）
• 隔离封装
• 沟槽栅极和薄晶圆技术（G7H系列）
• 高速开关
• 工作频率（50Hz ≤ f ˂ 20kHz）
• 不保证短路耐受时间

产品对比

应用