特性
- Low forward voltage: VF = 2.0V typ. (at IF = 30A, Tc = 25 °C)
- Fast recovery (soft recovery): trr = 70ns typ. (at IF = 30A, di/dt = 1500A/µs, Tc = 25 °C)
描述
The RJU1CF03DWA is a high-performance fast recovery diode with a forward current of 30A, forward voltage of 2V to 2.7V, reverse current of 25µA, a repetitive peak reverse voltage of 1250V, and a 70ns recovery time.
应用
- Inverters
| Part Number | Status | Samples | Stock | RoHS | Package | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RJU1CF03DWA-00#W0 | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | Package | No |
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- 应用说明英语AI 生成的摘要: Wire bonding damage occurs during the assembly of bare die or wafer IGBTs when improper bonding conditions cause defects such as misaligned bonds, chip surface scratches, or cracks. Excessive bonding stress can damage cells visibly or internally, affecting device performance and reliability. Evaluating bonding limits by adjusting power and force ensures optimal bonding strength without damage. Careful verification of bonding conditions improves yield and prevents failures like turn-off malfunctions caused by localized damage.
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