跳转到主要内容
瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation)
NEW
集成 700V/240mΩ GaN FET 的 45W AC/DC 初级侧调节反激式 SiP 模块

封装信息

CAD 模型:View CAD Model
Pkg. Type:QFN8x8
Pkg. Code:
Lead Count (#):22
Pkg. Dimensions (mm):8 x 8 x 0.85
Pitch (mm):

环境和出口类别

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
HTS (US)8542.39.0090
RoHS (RRW21112-153)英语日文
Pb (Lead) Free
ECCN (US)

产品属性

Lead Count (#)22
Carrier TypeTape & Reel
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Control ModePrimary-Side Regulation with Adaptive MMC
Switching Frequency (KHz)79 - 79
VBIAS (Max) (V)18
Temp. Range (°C)-40 to +150°C
Advanced FeaturesSuperGaN Integrated
ApplicationLow Power Adapters, Industrial Control/Automation, Appliances & White Goods, Network Power, Server Aux Power, Isolated Power for Gate Drivers
Cable Drop Comp (mV)0
Controller / IntegratedIntegrated
Country of AssemblyTAIWAN, MALAYSIA
Country of Wafer FabricationDie1:KR, Die2:JP, Die3:TW
FunctionPSR Flyback
Key FeaturesPrimary-Side Feedback w/o Optocoupler
Length (mm)8
MOQ4000
No-Load Operating Current1
Output Power Max (W)45
Output Voltage (Max) (V)24
Outputs (Max) (#)3
PWMs (#)1
Parametric CategoryFlyback & Forward Controllers
Pass Device 
Phases (Max)Flyback & Forward Controllers
Pkg. Dimensions (mm)8 x 8 x 0.85
Pkg. TypeQFN8x8
Product CategoryFlyback & Forward Controllers
Protection FeaturesBrown-out, OTP, UVLO, Output OVP, Input OVP, OCP
Qualification LevelStandard
Quality LevelStandard
Simulation Model AvailableNo
Supply Voltage (max) (V)25 - 25
Thickness (mm)0.85
Topology CharacteristicPWM/PFM Flyback
UVLO Falling (V)6.4
UVLO Rising (V)13.7
Width (mm)8

描述

RRW21112 是一款系统级封装(SiP)产品,集成了 700V SuperGaN® FET 与高性能数字式 AC/DC 初级侧调节(PSR)反激式控制器。 其可配置的轻载模式允许设计人员仅通过一个外部电阻,即可针对超低空载功耗或快速瞬态响应进行参数调优。 该器件工作于准谐振模式,在提高重载效率的同时,减少了外部元件数量,简化了 EMI 设计,并降低了整体物料清单成本。

PrimAccurate 初级侧调节技术消除了对次级侧反馈元件的需求,同时仍能保持出色的线性调整率与负载调整率。 其数字控制架构省去了外部环路补偿需求,并通过逐脉冲波形分析实现了比传统解决方案更快的动态响应速度。 内置功率限制功能支持在宽范围离线输入电压下对变压器进行优化设计;RRW21112 通常适用于功率约为 45W 的应用场景。

该器件实现了较高的平均有源效率,且空载功耗低于 75mW。 其软启动功能确保了在任意输出电压下对大容量容性负载实现平滑启动,因此非常适用于网络设备和显示器适配器应用。

RRW21112 集成了内部和外部过压保护功能,其中外部保护通路提供了辅助输出过压保护,提升了系统鲁棒性。