瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation)
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Functional block diagram of the RRW2211x showing the internal control logic, gate driver, protection blocks, sensing paths, and signal flow between the controller, power stage, and external system connections.
Typical RRW2211x application circuit using iW610 and iW780 secondary‑side control in a single‑port USB‑PD charger design.
Typical RRW2211x application circuit using RRW43010 synchronous rectification and iW780 secondary‑side control in a single‑port USB‑PD charger design.
Functional block diagram of the RRW2211x showing the internal control logic, gate driver, protection blocks, sensing paths, and signal flow between the controller, power stage, and external system connections.
Typical RRW2211x application circuit using iW610 and iW780 secondary‑side control in a single‑port USB‑PD charger design.
Typical RRW2211x application circuit using RRW43010 synchronous rectification and iW780 secondary‑side control in a single‑port USB‑PD charger design.
NEW

RRW22115-153

有效
25W 至 45W 零待机功耗数字 AC/DC SSR 反激式 SiP 模块，集成 700V/480mΩ GaN FET
RRW2211x Datasheet有关 RRW22115 的所有信息

封装信息

CAD 模型:View CAD Model
Pkg. Type:QFN8x8
Pkg. Code:
Lead Count (#):22
Pkg. Dimensions (mm):8 x 8 x 0.85
Pitch (mm):

环境和出口类别

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
HTS (US)8542.39.0090
RoHS (RRW22115-153)英语日文
Pb (Lead) Free
ECCN (US)

产品属性

Lead Count (#)22
Carrier TypeTape & Reel
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Control ModePeak Current Mode DCM/CCM
Switching Frequency (KHz)70 - 270
VBIAS (Max) (V)42
Temp. Range (°C)-40 to +150°C
Advanced FeaturesSuperGaN Integrated
ApplicationUSB PD, Docking Station, Wall‑Outlet, Power Tools, Monitor, Speaker
Controller / IntegratedIntegrated
Country of AssemblyTAIWAN, MALAYSIA
Country of Wafer FabricationDie1:KR, Die2:JP, Die3:TW
FunctionSSR Flyback
Key FeaturesZero Standby Power
Length (mm)8
MOQ4000
No-Load Operating Current55
Output Power Max (W)45
Output Voltage (Max) (V)24
Outputs (Max) (#)3
PWMs (#)1
Parametric CategoryFlyback & Forward Controllers
Pass Device 
Phases (Max)Flyback & Forward Controllers
Pkg. Dimensions (mm)8 x 8 x 0.85
Pkg. TypeQFN8x8
Product CategoryFlyback & Forward Controllers
Protection FeaturesBrown-out, OTP, UVLO, Output OVP, OCP
Qualification LevelStandard
Quality LevelStandard
Simulation Model AvailableNo
Supply Voltage (max) (V)45 - 45
Thickness (mm)0.85
Topology CharacteristicPWM/PFM Flyback
UVLO Falling (V)7.5
UVLO Rising (V)15.3
Width (mm)8

描述

RRW22115 是一款系统级封装（SiP）产品，集成了 700V SuperGaN® FET 与高性能 AC/DC 初级侧数字反激式控制器，适配次级侧调节（SSR）架构，可实现零待机功耗快充应用。 该器件采用瑞萨专利的恒频准谐振（QR）开关模式，并搭载自适应多模式控制（MMC）。 RRW2211x 系列专为与瑞萨次级侧控制器 iW780/iW610 或 RRW30110/RRW43010 芯片组配套使用而优化；此类芯片组集成次级侧调节（SSR）、同步整流（SR）控制，并支持 USB PD 3.2 可编程电源（PPS）。 典型设计中，RRW22115 常用于 25W 至 45W 功率等级的应用场景；若采用 RRW2211x 与 iW780 芯片组构建 PD 旅行适配器，在拔除 USB 线缆后，空载功耗可低至 5mW 以下。

MMC 功能涵盖了 PWM、PFM 和突发模式（Burst Mode）等多种工作模式，可实现效率与 EMI 性能的最佳平衡。 RRW22115 与 iW780 芯片组支持高精度多级恒压（CV）与恒流（CC）调节，且模式切换过程快速平滑。 SSR 数字补偿技术省去了外部环路补偿元件，同时确保了在所有工作条件下系统均能保持稳定运行。

瑞萨电子专有的数字控制技术可实现高效率、高精度电压与电流控制以及快速动态负载响应，同时有效降低系统成本。 QR 开关模式、MMC 工作模式以及基于 SSR 的调节机制三者的结合，能够充分满足现代快速充电应用对性能的各项需求。

有关 RRW22115 的所有信息