特性
- 集成 700V、240mΩ SuperGaN FET
- 通过 JEDEC 认证的 GaN 技术
- 在典型的 25W 至 65W 及以上适配器设计中，待机功耗低于 75mW
- 支持单层 PCB 布局，有助于降低系统成本
- 兼容 TL431 及第三方次级侧控制器，适用于 RapidCharge™ 和固定电压设计
- 工作于自适应 MMC 模式：PWM、PFM 和突发模式
- 支持 QR 和 CCM 工作模式
- 提升效率并消除音频噪声
- 可在体积、效率、EMI 性能之间实现最优平衡
- 采用双极性辅助绕组检测技术，可改善 EMI 特性并简化变压器设计
- 支持最高 270kHz 开关频率
- 内置保护功能：上电缓启/掉电保护、输出短路保护、输出过压保护、光耦失效保护
- 用户可调节内部 OTP 阈值
描述
RRW22122 是一款系统级封装（SiP）产品，集成了 700V SuperGaN® FET 与高性能 AC/DC 初级侧数字反激式控制器，适配次级侧调节（SSR）架构。 该器件专为 45W 至 65W 适配器设计，支持配合 TL431 分流稳压器及其他第三方次级侧控制器工作，适用于广泛的终端应用领域。
该器件工作于恒频准谐振（QR）模式，并采用自适应多模式控制（MMC）技术，涵盖脉宽调制（PWM）、脉冲频率调制（PFM）以及突发模式（Burst Mode）等多种工作模式。 这种控制架构能够在各种负载条件下有效提升效率、降低电磁干扰（EMI），并消除音频噪声。
搭配 TL431 或其他次级侧控制器使用时，RRW22122 在典型大功率设计中能够实现精准恒压（CV）、快速动态负载响应，并将待机功耗控制在 75mW 以下。 其集成的保护功能以及对双极性辅助绕组检测的支持，不仅简化了变压器设计，提升了 EMI 性能，还有助于降低整体系统成本。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Topology Characteristic | PWM/PFM Flyback |
| Control Mode | Peak Current Mode DCM/CCM |
| UVLO Rising (V) | 15.3 |
| UVLO Falling (V) | 7.5 |
| VBIAS (Max) (V) | 42 |
| PWMs (#) | 1 |
| Output Power Max (W) | 65 |
| Switching Frequency (KHz) | 70 - 270 |
| Controller / Integrated | Integrated |
| Advanced Features | SuperGaN Integrated |
| Simulation Model Available | No |
| Temp. Range (°C) | -40 to +150°C |
| Qualification Level | Standard |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| QFN8x8 | 8 x 8 x 0.85 | 22 |
产品对比
应用
- 适用于智能手机、平板电脑、电动工具及便携式设备的快充 AC/DC 适配器
- 适用于电视、网络设备、家用电器及辅助电源的供电单元