封装信息
| Pkg. Type | PQFN56 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 5 x 6 |
环境和出口类别
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Pb (Lead) Free | |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) |
产品属性
| Pkg. Type | PQFN56 |
| Carrier Type | Tape & Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
| Ciss (Typical) (pF) | 818 |
| Coss (Typical) (pF) | 53 |
| FET Type | N-Channel |
| Id max @ 25°C (A) | 16 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 5 x 6 |
| Qg typ (nC) | 4.9 |
| Qoss (nC) | 56 |
| Qrr typ (nC) | 35 |
| Qualification Level | Standard |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 150 |
| RDSON (max) (mΩ) | 180 |
| Ron * Qoss (FOM) | 8400 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| Vds min (V) | 650 |
| Vth typ (V) | 2.4 |
| trr (Typical) (nS) | 17 |
有关 TP65H150BG4JSG 的资源
描述
TP65H150BG4JSG 650V 150mΩ 氮化镓 （GaN） FET 是使用瑞萨电子的 Gen IV 平台构建的常闭器件。 它结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术，提供卓越的可靠性和性能。
瑞萨电子 GaN 通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。
TP65H150BG4JSG采用行业标准的 PQFN56 封装，具有通用的源封装配置。