概览

简介

The NP36P06SLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 30 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 40 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A)
  • Low input capacitance Ciss = 3200 pF TYP.
  • Built-in gate protection diode

产品对比

应用

文档

类型 文档标题 日期
数据手册 PDF 1.50 MB
应用文档 PDF 3.23 MB 日文
指南 PDF 1.71 MB
Product Reliability Report PDF 224 KB
手册 PDF 2.24 MB
5 items

设计和开发

模型