RJP1CS03DWA

描述

RJP1CS03DWA 1250V、30A 绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供低集电极至发射极饱和电压，可用于逆变器应用。 该器件采用未切割晶圆封装类型。

特性

• 集电极至发射极饱和电压 V_{CE (sat)} = 1.8V （典型值） （I_C = 30A，V_GE = 15V，Tc = 25 °C）
• 高速开关
• 短路耐受时间（最小 10μs）

产品对比

应用

• 逆变器