概览
描述
RTKA226110DE0040BU 是一款 RAA226110 栅极驱动评估板。 此评估套件包括两颗来自GaN 系统公司的650V GaN 增强型 HEMT (E-HEMT) 和所有必要的电路，包括半桥栅极驱动器、隔离电源和散热器（可选），以组成一个集成的半桥功率驱动板。 它允许用户在任何基于半桥的拓扑结构（无论是采用通用主板（P/N：GS665MB-EVB）还是用户自己的系统设计）中，轻松评估 GaN E-HEMT 的性能。 RTKA226110DE0040BU 板提供 -3V 关断电压解决方案，通常用于大功率和高可靠性应用。 负驱动电压有助于确保 GaN 场效应管在必要时保持在关断状态，从而免受任何可能的电源接地噪声和来自系统及环境的干扰影响。 对于低功率应用，请参考 RTKA226110DE0010BU 和 0V 关断电压。
特性
- 其可以作为参考设计和评估工具以及易于部署的解决方案，方便客户执行系统内评估。
- 采用垂直安装方式，高度为 35mm，适合大多数 1U 设计，允许在传统通孔式安装形式下验证 GaN E-HEMT的性能。
- 带电流检测，可简单测试开关波形。
- -3V 关断电压。
应用
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