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描述

RTKA226110DE0040BU 是一款 RAA226110 栅极驱动评估板。 此评估套件包括两颗来自GaN 系统公司的650V GaN 增强型 HEMT (E-HEMT) 和所有必要的电路,包括半桥栅极驱动器、隔离电源和散热器(可选),以组成一个集成的半桥功率驱动板。 它允许用户在任何基于半桥的拓扑结构(无论是采用通用主板(P/N:GS665MB-EVB)还是用户自己的系统设计)中,轻松评估 GaN E-HEMT 的性能。 RTKA226110DE0040BU 板提供 -3V 关断电压解决方案,通常用于大功率和高可靠性应用。 负驱动电压有助于确保 GaN 场效应管在必要时保持在关断状态,从而免受任何可能的电源接地噪声和来自系统及环境的干扰影响。 对于低功率应用,请参考 RTKA226110DE0010BU 和 0V 关断电压。

特性

  • 其可以作为参考设计和评估工具以及易于部署的解决方案,方便客户执行系统内评估。
  • 采用垂直安装方式,高度为 35mm,适合大多数 1U 设计,允许在传统通孔式安装形式下验证 GaN E-HEMT的性能。
  • 带电流检测,可简单测试开关波形。
  • -3V 关断电压。

应用

文档

类型 文档标题 日期
手册 - 开发工具 PDF 2.00 MB
1 项目

设计和开发

模型

ECAD 模块

点击产品选项表中的 CAD 模型链接,查找 SamacSys 中的原理图符号、PCB 焊盘布局和 3D CAD 模型。如果符号和模型不可用,可直接在 SamacSys 请求该符号或模型。

Diagram of ECAD Models

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