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瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation)

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RTKP6815xDE000x0BC 评估板有助于快速、全面地评估 RRP68150 和 RRP68151 半桥驱动器,这两款器件提供 2A 源极和 5.3A 漏极栅极驱动能力。 RTKP6815xDE00000BC 板可有效驱动 GaN FET,而 RTKP6815xDE00010BC 板则在降压系统配置中驱动硅 FET。 每个评估板都集成了两个 GaN FET 或两个逻辑电平 N 通道 MOSFET 以及一个电感电容(LC)滤波器,从而能够在实际工作条件下进行全面的系统级评估。

特性

  • 用于 GaN FET 和 MOSFET 的 2A 源极和 5.3A 漏极驱动器
  • 接受 3.3V/5V 逻辑电平 PWM 输入
  • 传播延迟快:19ns/17ns 典型值
  • 传播延迟匹配出色:1.5ns 典型值
  • 典型上升时间为 4.5ns,典型下降时间为 2.7ns,带 1nF 负载
  • 可单独调节开启和关闭速度
  • 防直通保护(RRP68150)
  • RTKP6815xDE00000BC 采用 WLCSP 封装,集成两个 GaN FET
  • RTKP6815xDE00010BC 采用 QFN 封装,集成两个 MOSFET

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