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RMLV0414E

有效

4Mb Advanced LPSRAM (256-kword × 16-bit)

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特性

  • Single 3V supply: 2.7V to 3.6V
  • Access time: 45ns (max.)
  • Current consumption: Standby: 0.3µA (typ.)
  • Equal access and cycle times
  • Common data input and output: Three-state output
  • Directly TTL compatible: All inputs and outputs
  • Battery backup operation
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RMLV0414E Block Diagram
RMLV0414E Block Diagram

描述

The RMLV0414E is a 4-Mbit static RAM organized as 262, 144-word × 16-bit, fabricated by Renesas' high-performance Advanced LPSRAM technologies. The RMLV0414E realizes higher density, higher performance, and low-power consumption. The device offers low-power standby power dissipation. Therefore, it is suitable for battery backup systems. It is offered in a 44-pin TSOP (II) package.

产品参数

属性值
Memory Density4
Organization256K x 16
Access Time (ns)45
Supply Voltage (V)2.7 - 3.6
Temp. Range (°C)-40 to +85

封装选项

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)Pitch (mm)
TSOP(44)18 x 10 x 1.2440.8
Part NumberStatusSamplesStockRoHSPackageBudgetary Price (USD)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Country of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
RMLV0414EGSB-4S2#AA1ActiveAvailableIn StockContactTSOP(2)1ku | $6.32Tray3MALAYSIA, TAIWANJAPAN
RMLV0414EGSB-4S2#HA1ActiveN/AIn StockContactTSOP(2)1ku | $6.32Embossed Tape3MALAYSIA, TAIWANJAPAN
RMLV0414EGSB-4S2#AA0ObsoleteN/AIn StockRoHS:EN
RoHS:JA
TSOP(2)Tray3
RMLV0414EGSB-4S2#HA0ObsoleteN/AOut of StockRoHS:EN
RoHS:JA
TSOP(2)Embossed Tape3
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  2. 指南
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    PDF 1.22 MB CST-R2-AJ153 Rev.1.0 日本語 2022年7月27日
  3. 产品变更通告
    英语
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    英语
    SRAM TSOP(44) products: Change of lead frame type from etched to stamped
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  5. 产品变更通告
    英语
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    封装图和引脚图 (1)

  1. 封装外形图
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  1. 宣传手册
    中文
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模拟模型

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    Package Drawing TSOP(2) 44pin PTSB0044GG-A
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