特性
- 4 V drive available
- Low on-state resistance RDS(on)1 = 100 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −1.0 A) RDS(on)2 = 134 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −1.0 A) RDS(on)3 = 166 mΩ MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −1.0 A)
- Built-in gate protection diode
描述
Support is limited to customers who have already adopted these products.
The 2SJ557A is a switching device which can be driven directly by a 4 V power source. The 2SJ557A features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on.
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Lead Count (#) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SJ557A-T1B-A | Obsolete | N/A | Out of Stock | MM | 3# | Yes |
| 2SJ557A-T1B-AT | Obsolete | N/A | Out of Stock | MM | 3# | Yes |
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- 应用说明英语PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- 应用说明英语PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- 指南英语PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
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数据手册 (1)
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手册和指南 (1)
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应用说明和白皮书 (3)
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