特性
- Super low on-state resistance RDS(on)1 = 20 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 31 mΩ MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −18 A)
- Low Ciss: Ciss = 4600 pF TYP.
- Built-in gate protection diode
描述
Support is limited to customers who have already adopted these products.
The 2SJ673 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Lead Count (#) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SJ673-AZ | Obsolete | N/A | In Stock | MP-45F | 3# | Yes |
| 2SJ673-S12-AZ | Obsolete | N/A | Out of Stock | MP-45F | 3# | Yes |
| 2SJ673(0)-AZ | Obsolete | N/A | Out of Stock | MP-45F | 3# | Yes |
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- 应用说明英语PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- 指南英语PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
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数据手册 (1)
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手册和指南 (1)
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应用说明和白皮书 (3)
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