特性
- High speed switching
- Wide area of safe operation
- Enhancement-mode
- Good complementary characteristics
- Equipped with gate protection diodes
- Suitable for audio power amplifier
描述
Low frequency power amplifier, Complementary pair with 2SJ160, 2SJ161 and 2SJ162.
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK1058-E | Obsolete | N/A | Out of Stock | TO-3P | 3# | Tube | Yes |
加载中
- 应用说明英语PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- 应用说明英语PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- 指南英语PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- 应用说明英语AI 生成的摘要: The document outlines derating standards for Power MOSFETs and IGBTs, emphasizing temperature, humidity, voltage, current, and power limits to ensure device reliability. It discusses package type selection between hermetic sealed and plastic molded types, highlighting the advantages of surface-mount packages for miniaturization. It also details precautions for physical handling, including proper lead forming, cutting, and mounting techniques to prevent stress and damage during installation.
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数据手册 (1)
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手册和指南 (1)
- 应用说明英语PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- 应用说明英语PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- 应用说明英语AI 生成的摘要: The document outlines derating standards for Power MOSFETs and IGBTs, emphasizing temperature, humidity, voltage, current, and power limits to ensure device reliability. It discusses package type selection between hermetic sealed and plastic molded types, highlighting the advantages of surface-mount packages for miniaturization. It also details precautions for physical handling, including proper lead forming, cutting, and mounting techniques to prevent stress and damage during installation.
应用说明和白皮书 (3)
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2SK1058 MOSFET的迭代产品
Hi，大家好， 我看官网上2sk1058这个管子已经停产了，不知道瑞萨有没有推荐料号可以迭代的， 感谢！！！！！！！！！
2024年8月14日 -
2SK1058可以用哪种型号的管子替换
大家好，请问一下2sk1058可以用哪种型号的管子替代，或者可以通过调整哪部分的电路（例如驱动电路的哪部分） 让其他管子可 ...
2022年6月28日
