瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation)
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2SK2596

Silicon N-Channel Mosfet, Uhf Power Amplifier

特性

  • High power output, High gain, High efficiency
  • PG = 12.2 dB, Pout = 1.05 W, ηD = 45% min. (f = 836.5 MHz)
  • Compact package capable of surface mounting
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描述

Silicon N-Channel MOSFET, UHF Power Amplifier.

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