特性
- Directly driven by a 4.0 V power source.
- Low on-state resistance RDS(on)1 = 105 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A) RDS(on)2 = 150 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 2.0 A)
描述
Support is limited to customers who have already adopted these products.
The 2SK2857C, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4. 0 V power source.
| Part Number | Status | Samples | Stock | RoHS | Package | Lead Count (#) | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK2857C-T1-AZ | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | POMM | 3# | 1 | Yes |
| 2SK2857C(0)-T1-AY | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | POMM | 3# | 1 | Yes |
| 2SK2857C(0)-T1-AZ | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | POMM | 3# | 1 | Yes |
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数据手册 (1)
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手册和指南 (1)
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应用说明和白皮书 (3)
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