概览
描述
This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.
特性
- Logic level operation (5 to 6 V Gate drive)
- High endurance capability against to the short circuit
- Built-in the over temperature shut-down circuit
- Temperature hysteresis type.
- High density mounting.
产品对比
应用
设计和开发
模型
ECAD 模块
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支持
常见问题
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两个设备的 SOA 保证了热关断操作
... 任何半导体都需禁止超过绝对最大额定值。但是这两种器件（HAF2015RJ 和 HAF2026RJ）的 SOA 都已超过了它。 在正常使用中，不能超过绝对最大 ...
2023年1月20日 -
两个设备的 SOA 保证了热关断操作
... 任何半导体都需禁止超过绝对最大额定值。但是这两种器件（HAF2015RJ 和 HAF2026RJ）的 SOA 都已超过了它。 在正常使用中，不能超过绝对最大 ...
2023年1月20日 -
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... 任何半导体都需禁止超过绝对最大额定值。但是这两种器件（HAF2015RJ 和 HAF2026RJ）的 SOA 都已超过了它。 在正常使用中，不能超过绝对最大 ...
2023年1月20日