特性
- Channel temperature 175 degree rating
- Super low on-state resistance RDS(on) = 10 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 28 A)
- Low Ciss: Ciss = 3500 pF TYP.
描述
Support is limited to customers who have already adopted these products.
The NP55N055SUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TO-252 / DPAK |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 55 |
| ID (A) | 55 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 10 |
| Pch (W) | 77 |
| Ciss (Typical) (pF) | 3500 |
| Qg typ (nC) | 60 |
| Series Name | NP Series |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| MP-3ZK | 6 x 6 x 2.65 | 3 |
| Part Number | Status | Samples | Stock | RoHS | Package | Budgetary Price (USD) | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NP55N055SUG-E1-AY | Active | Available | Out of Stock | Contact | MP-3ZK | 1ku | $0.672 | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes | MALAYSIA | JAPAN |
| NP55N055SUG-E1-AZ | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | MP-3ZK | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes | |||
| NP55N055SUG-E2-AY | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | MP-3ZK | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes |
加载中
- 应用说明英语PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- 应用说明英语PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- 指南英语PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- 应用说明英语AI 生成的摘要: The document outlines derating standards for Power MOSFETs and IGBTs, emphasizing temperature, humidity, voltage, current, and power limits to ensure device reliability. It discusses package type selection between hermetic sealed and plastic molded types, highlighting the advantages of surface-mount packages for miniaturization. It also details precautions for physical handling, including proper lead forming, cutting, and mounting techniques to prevent stress and damage during installation.
推荐文档 (1)
数据手册 (1)
- 指南英语PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
手册和指南 (1)
- 应用说明英语PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- 应用说明英语PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- 应用说明英语AI 生成的摘要: The document outlines derating standards for Power MOSFETs and IGBTs, emphasizing temperature, humidity, voltage, current, and power limits to ensure device reliability. It discusses package type selection between hermetic sealed and plastic molded types, highlighting the advantages of surface-mount packages for miniaturization. It also details precautions for physical handling, including proper lead forming, cutting, and mounting techniques to prevent stress and damage during installation.
应用说明和白皮书 (3)
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
质量和可靠性 (1)
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
加载中
筛选
当前筛选条件
软件与工具
按类型筛选
按供应商筛选
样例程序
按应用筛选
按功能筛选
按编译器筛选
按 IDE 筛选
模拟模型
合作伙伴解决方案
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
模拟模型 (1)
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
