特性
- Non logic level
- Super low on-state resistance NP80N04NUG RDS(on) = 4.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) NP80N04PUG RDS(on) = 4.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)
- High current rating ID(DC) = ±80 A
- Low input capacitance Ciss = 4900 pF TYP.
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
描述
Support is limited to customers who have already adopted these products.
The NP80N04NUG and NP80N04PUG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.
| Part Number | Status | Samples | Stock | RoHS | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NP80N04PUG-E1B-AY | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | MP-25ZP | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes |
| NP80N04PUG-E2B-AY | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | MP-25ZP | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes |
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- 应用说明英语PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
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数据手册 (1)
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手册和指南 (1)
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应用说明和白皮书 (3)
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