概览
简介
TP65H150G4PS 650V 150mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是使用瑞萨电子第四代平台构建的常闭器件。 它结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术,提供卓越的可靠性和性能。
瑞萨电子 GaN 通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷,提供比硅更高的效率。
TP65H150G4PS采用行业标准 TO-220 封装,具有通用源封装配置。
特性
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- Dynamic RDS(on)eff 经过生产测试
- 坚固的设计,定义
- 固有寿命测试
- 宽栅极安全裕度
- 瞬态过压能力
- 非常低的 QRR
- 减少分频损耗
- 符合 RoHS 标准和无卤素包装
- 支持 AC-DC 和 DC-DC 设计
- 提高功率密度
- 减小系统尺寸和重量
- 总体降低系统成本
- 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
- 使用常用栅极驱动器易于驱动
产品对比
应用
应用
- 消费领域
- 电源适配器
- 低功耗 SMPS
- 照明系统
设计和开发
软件与工具
模型
ECAD 模块
Schematic symbols, PCB footprints, and 3D CAD models from SamacSys can be found by clicking on products in the Product Options table. If a symbol or model isn't available, it can be requested directly from the website.