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概览

描述

The NP36P04KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 23.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A)
  • Low input capacitance Ciss = 2800 pF TYP.

产品对比

应用

文档

类型 文档标题 日期
数据手册 PDF 1.30 MB
指南 PDF 796 KB
应用说明 PDF 3.23 MB 日本語
产品可靠性报告 PDF 224 KB
应用说明 PDF 648 KB 日本語
宣传手册 PDF 2.24 MB
6 items

设计和开发

模型

ECAD 模块

点击产品选项表中的 CAD 模型链接,查找 SamacSys 中的原理图符号、PCB 焊盘布局和 3D CAD 模型。如果符号和模型不可用,可直接在 SamacSys 请求该符号或模型。

Diagram of ECAD Models

产品选项

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