瑞萨电子的半桥（H 桥）驱动器可处理高达 100V 的电压，栅极驱动上升和下降时间业内领先，输入至输出传播延迟性能出色。
通过低传播延迟提供高灌电流/拉电流能力与快速开关特性，从而在紧凑封装内进行高效功率传输。
支持独立高侧/低侧控制或 PWM 输入，为基于硅和氮化镓 MOSFET 的功率级模块提供灵活的驱动选项。
集成 UVLO、防直通和发热保护特性，确保在严苛的功率环境下实现稳定可靠的运行。
