特性
- 标准栅极驱动电压：VGS(th) = 2.0V~4.0V
- 超低导通电阻：RDS(on) = 1.5mΩ（最大值）
- 低输入电容
- 低热阻
- 无铅电镀：符合 RoHS 标准
- MSL1（依据IPC/JEDEC J-STD-020）
描述
RBE015N10R1SZPV N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术，提供 TOLG 封装。 TOLG 封装具有与 TOLL 封装同样的外形和尺寸。但其采用海鸥翼式引脚设计，具备卓越的热循环能力。
瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关能力的场景，是大功率和高频应用的理想选择。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TOLG |
| VDSS (Max) (V) | 100 |
| ID (A) | 340 |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 1.5 |
| Pch (W) | 468 |
| Ciss (Typical) (pF) | 13000 |
| Qg typ (nC) | 170 |
| Series Name | REXFET-1 |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| TOLG | 9.90 x 11.70 x 2.50 | 9 |
应用方框图
|
48V 移动平台
该款 48V 移动平台为各种电动移动应用提供多功能且适应性强的解决方案。
|
|
48V 无刷直流（BLDC）电机位置控制
高效的无刷直流（BLDC）电机系统，具有精确控制、快速唤醒和无缝组件集成功能。
|
其他应用
- 电源管理系统
- 电机控制
- DC/DC 转换器