跳转到主要内容

特性

  • 标准栅极驱动电压:VGS(th) = 2.0V~4.0V
  • 超低导通电阻:RDS(on) = 1.5mΩ(最大值)
  • 低输入电容
  • 低热阻
  • 无铅电镀:符合 RoHS 标准
  • MSL1(依据IPC/JEDEC J-STD-020)

描述

RBE015N10R1SZPV N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术,提供 TOLG 封装。 TOLG 封装具有与 TOLL 封装同样的外形和尺寸。但其采用海鸥翼式引脚设计,具备卓越的热循环能力。

瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关能力的场景,是大功率和高频应用的理想选择。

产品参数

属性
Qualification Level Industrial
Nch/Pch Nch
Channels (#) 1
Standard Pkg. Type TOLG
VDSS (Max) (V) 100
ID (A) 340
RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) 1.5
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm) 1.3
Pch (W) 468
Vgs (off) (Max) (V) 4
VGSS (V) 20
Ciss (Typical) (pF) 13000
Qg typ (nC) 170
Mounting Type Surface Mount
Function Power MOSFETs

封装选项

Pkg. Type Lead Count (#)
TOLG 9

应用方框图

48V Mobility Platform Block Diagram
48V 移动平台
该款 48V 移动平台为各种电动移动应用提供多功能且适应性强的解决方案。
48V BLDC Motor Position Control Block Diagram
48V 无刷直流(BLDC)电机位置控制
高效的无刷直流(BLDC)电机系统,具有精确控制、快速唤醒和无缝组件集成功能。

其他应用

  • 电源管理系统
  • 电机控制
  • DC/DC 转换器

当前筛选条件