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瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation) - June is Pride Month, a month to raise awareness of the rights and the culture of the LGBTQ+ community

特性

  • VDSS = 150V
  • 标准栅极驱动电压:VGS(th) = 2.2~3.7V
  • 超低导通电阻:RDS(on) = 3.9mΩ(最大值)
  • ID = 190A
  • 低输入电容
  • 低热阻
  • 封装:TOLT
  • 100% 通过雪崩测试
  • 无铅电镀:符合 RoHS 标准
  • MSL1(依据 IPC/JEDEC J-STD-020)

描述

RBE039N15R1SZPW N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术,提供 TOLT 封装。TOLT 封装采用顶部散热设计,实现超紧凑结构与卓越的散热性能。

瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关性能的场景,是大功率和高频应用的理想选择。

产品参数

属性
Qualification LevelIndustrial
Nch/PchNch
Channels (#)1
Standard Pkg. TypeTOLT
Gate LevelStandard
VDSS (Max) (V)150
ID (A)190
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)3.9
Pch (W)319
Ciss (Typical) (pF)5500
Qg typ (nC)76
Series NameREXFET-1

封装选项

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)
TOLT9.90 x 15.00 x 2.3016

应用

  • 电机控制
  • 能源基础设施
  • 工业自动化
  • DC/DC 电源转换
  • 电动工具
  • 机器人
器件号状态样品库存RoHS封装预算价格(美元)Lead Count (#)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Pb (Lead) Free
RBE039N15R1SZPW#KB0ActiveAvailable缺货RoHS:EN
RoHS:JA
TOLT1ku | $2.5816#Embossed Tape1Yes

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2025年10月29日
使用 REXFET MOSFET 降低 RDS(on)
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