RBN150N180S2HFWA

瑞萨电子的第 8 代绝缘栅双极晶体管（IGBT）在工艺结构中使用了独特的沟槽栅极配置。 与前几代 IGBT 相比，该器件提供更快的开关性能。 该器件还通过降低饱和电压，降低了传导损耗。

我们的 1800V - 300A/150A IGBT 针对风力发电和太阳能逆变器等大功率应用进行了优化。