特性
- High endurance capability against to the short circuit.
- Built-in the over temperature shut-down circuit.
- Latch type shut down operation (need 0 voltage recovery).
- Built-in the current limitation circuit.
- Low on-resistance RDS: 22 mΩ Typ, 27 mΩ Max (VGS = –10 V)
- AEC-Q101 Compliant
描述
This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. .
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJE0601JPE-00#J3 | Obsolete | Available | In Stock | LDPAK(S)-(1) | 4# | Embossed Tape | 1 | Yes |
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