特性
- Logic level operation (4 V Gate drive).
- Built-in the over temperature shut-down circuit.
- High endurance capability against to the short circuit.
- Latch type shut down operation (need 0 voltage recovery).
- Built-in the current limitation circuit.
- Power supply voltage applies 12 V and 24 V.
- For Industrial applications
描述
This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. .
| Part Number | Status | Samples | Stock | RoHS | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJF0604DPD-00#J3 | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | DPAK(S) | 4# | Embossed Tape | Yes |
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手册和指南 (1)
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