封装信息
| CAD 模型: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | WLCSP-TKCURDL |
| Pkg. Code: | WRD |
| Lead Count (#): | 6 |
| Pkg. Dimensions (mm): | 1.9 x 1.9 x 0.50 |
| Pitch (mm): | 0.4 |
环境和出口类别
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| HTS (US) | 8542.39.0090 |
| ECCN (US) |
产品属性
| Lead Count (#) | 6 |
| Carrier Type | Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pitch (mm) | 0.4 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 1.9 x 1.9 x 0.50 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pb Free Category | Pb-Free Ball Terminal (SAC-Q)-e6 |
| Temp. Range (°C) | -40 to +125°C |
| Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 104 |
| Charge Pump | No |
| Fall Time | 2.7ns |
| Input Logic Level | 3.3/5V CMOS |
| Length (mm) | 1.9 |
| MOQ | 3000 |
| Peak Pull-down Current (A) | 5.3 |
| Peak Pull-up Current (A) | 2 |
| Pkg. Type | WLCSP-TKCURDL |
| Price (USD) | $0.9 |
| Qualification Level | standard |
| Rise Time (μs) | 4.5 |
| Simulation Model Available | isim |
| Thickness (mm) | 0.5 |
| Turn-Off Prop Delay (ns) | 17 |
| Turn-On Prop Delay (ns) | 19 |
| VBIAS (Max) (V) | 5.5 |
| Width (mm) | 1.9 |
有关 RRP68151 的资源
描述
该RRP68151为5V供电的高频半桥驱动，针对增强模式氮化镓场效应管和低阈度N通道MOSFET进行了优化。 它提供2A的灌电流和5.3A的拉电流能力，支持最高直流100V的切换节点。 驱动器的PWM输入兼容3.3V/5V CMOS逻辑，最高可耐受14V电压，且该特性与 VDD 供电电压相互独立。 高侧偏置电压采用自举升压技术，内部钳位为5.4V，以防止超过GaN FET的最大栅极源极耐受值。 5V 工作电源设计便于与控制器实现共电方案。
作为RRP6815x驱动系列的成员，该RRP68151在相关产品间保持设计和性能的一致性。 与 RRP68150 不同，它不集成防直通保护功能，允许设计者根据需要实现自己的外部时序或保护方案。