特性
- Can be driven by a 2.5-V power source
- Low on-state resistance RDS(on)1 = 55 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –2.5 A) RDS(on)2 = 58 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –2.5 A) RDS(on)3 = 82 mΩ MAX. (VGS = –2.7 V, ID = –2.5 A) RDS(on)4 = 90 mΩ MAX. (VGS = –2.5 V, ID = –2.5 A)
描述
Support is limited to customers who have already adopted these products.
The µPA1915 is a switching device which can be driven directly by a 2. 5-V power source. The µPA1915 features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on.
| Part Number | Status | Samples | Stock | RoHS | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UPA1915TE-T1-A | Obsolete | N/A | In Stock | RoHS:EN RoHS:JA | TMM | 6# | Embossed Tape | 1 | Yes |
| UPA1915TE-T1-AT | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | TMM | 6# | Embossed Tape | 1 | Yes |
| UPA1915TE-T2-A | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | TMM | 6# | Embossed Tape | 1 | Yes |
| UPA1915TE(0)-T1-A | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | TMM | 6# | Embossed Tape | 1 | Yes |
| UPA1915TE(0)-T1-AT | Obsolete | N/A | In Stock | RoHS:EN RoHS:JA | TMM | 6# | Embossed Tape | 1 | Yes |
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- 应用说明英语PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- 指南英语PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- 应用说明英语AI 生成的摘要: The document outlines derating standards for Power MOSFETs and IGBTs, emphasizing temperature, humidity, voltage, current, and power limits to ensure device reliability. It discusses package type selection between hermetic sealed and plastic molded types, highlighting the advantages of surface-mount packages for miniaturization. It also details precautions for physical handling, including proper lead forming, cutting, and mounting techniques to prevent stress and damage during installation.
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手册和指南 (1)
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应用说明和白皮书 (3)
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