特性
- 双面散热 PQFN 8x8 封装，可提升散热性能
- 具有高阈值电压和高栅极裕度的绝缘栅极
- 内置续流二极管，可在死区时间内降低反向导通压降
- 可忽略不计的反向恢复电荷
- 低栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss）
- 高漏源电压转换速率（dv/dt）抗扰度
- 兼具软开关和硬开关能力
- 具备瞬态过压能力
- 提高硬开关和软开关电路的效率
- 支持更高功率密度设计
- 与常用栅极驱动器兼容
- 与 E-mode GaN 器件引脚对引脚兼容，并具有更高的阈值电压，可提高抗噪能力
- 通过 JEDEC 认证
- 符合 RoHS 标准且采用无卤封装
描述
TP65H020G4PLSGBD 是一款 650V、20mΩ 氮化镓（GaN）场效应管（FET），基于瑞萨电子第四代 Plus 平台打造。 这款常关型开关将用于实现快速开关和高可靠性的高压耗尽型（D-mode）GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT），与可兼容标准栅极驱动器的低压硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相结合。
TP65H020G4PLSGBD 采用带双面散热能力的薄型 8x8 PQFN 封装，具有增强的散热性能，并支持高系统级功率密度。 其低栅极电荷、低输出电荷、可忽略不计的反向恢复电荷以及软开关和硬开关能力，有助于提高电源转换效率，同时减小系统尺寸、重量并降低成本。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 900 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 20 |
| RDSON (max) (mΩ) | 25 |
| Vth typ (V) | 4 |
| Id max @ 25°C (A) | 92 |
| Qg typ (nC) | 19.6 |
| Qoss (nC) | 221 |
| Ron * Qoss (FOM) | 221 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1439 |
| Coss (Typical) (pF) | 196 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| PQN88-IP, DSC | 8x8 | 10 |
应用方框图
 | 800V to 48V DCX System Efficiently converts an 800V DC bus to 48V DC with galvanic isolation for high-density, high-efficiency power delivery. |
其他应用
- AI 数据中心电源
- 电信电源
- 光伏（PV）逆变器
- 不间断电源（UPS）
- 电动出行充电
- 电池储能系统（BESS）