特性
- Super low on-state resistance
RDS(on)1 = 3.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) - Low Ciss: Ciss = 5800 pF TYP.
描述
The 2SK3943 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK3943-ZP-E1-AY | Obsolete | N/A | Out of Stock | MP-25ZP | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes |
| 2SK3943-ZP-E2-AY | Obsolete | N/A | Out of Stock | MP-25ZP | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes |
| 2SK3943(0)-ZP-E2-AY | Obsolete | N/A | Out of Stock | MP-25ZP | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes |
| 2SK3943(0)-ZP-E2-AZ | Obsolete | N/A | Out of Stock | MP-25ZP | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes |
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- 应用说明英语PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
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数据手册 (1)
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手册和指南 (1)
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应用说明和白皮书 (3)
产品通告（产品变更、EOL 等） (1)
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