特性
- Low on-state resistance
RDS(on)1 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A) - Low gate to drain charge
QGD = 3.7 nC TYP. (VDD = 15 V, ID = 30 A) - 4.5 V drive available
描述
The 2SK4178 is N-channel MOSFET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier.
加载中
- 应用说明英语PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- 应用说明英语PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- 指南英语PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- 应用说明英语AI 生成的摘要: The document outlines derating standards for Power MOSFETs and IGBTs, emphasizing temperature, humidity, voltage, current, and power limits to ensure device reliability. It discusses package type selection between hermetic sealed and plastic molded types, highlighting the advantages of surface-mount packages for miniaturization. It also details precautions for physical handling, including proper lead forming, cutting, and mounting techniques to prevent stress and damage during installation.
推荐文档 (1)
数据手册 (1)
- 指南英语PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
手册和指南 (1)
- 应用说明英语PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- 应用说明英语PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- 应用说明英语AI 生成的摘要: The document outlines derating standards for Power MOSFETs and IGBTs, emphasizing temperature, humidity, voltage, current, and power limits to ensure device reliability. It discusses package type selection between hermetic sealed and plastic molded types, highlighting the advantages of surface-mount packages for miniaturization. It also details precautions for physical handling, including proper lead forming, cutting, and mounting techniques to prevent stress and damage during installation.
应用说明和白皮书 (3)
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
其他 (2)
No Results Found.
检查拼写
确保所有关键词拼写正确。
确保所有关键词拼写正确。
调整关键词
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
尝试使用更少、不同或更宽泛的词语来改变搜索结果。
查看筛选器
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
如果您使用了筛选器，请考虑取消选择某些筛选器选项以扩大搜索结果。
需要帮助？
- 搜索我们丰富的知识库，帮助您解答常见问题
- 前往支持论坛，获取瑞萨电子技术专家和社群的帮助
