特性
- Logic level operation (5 to 6 V Gate drive)
- High endurance capability against to the short circuit
- Built-in the over temperature shut-down circuit
- Temperature hysteresis type.
- High density mounting.
描述
This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HAF2015RJ-EL-E | Obsolete | Available | In Stock | SOP | 8# | Embossed Tape | 1 | Yes |
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手册和指南 (1)
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