封装信息
| CAD 模型: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | SOICN |
| Pkg. Code: | MAB |
| Lead Count (#): | 8 |
| Pkg. Dimensions (mm): | 4.93 x 3.94 x 1.47 |
| Pitch (mm): | 1.27 |
环境和出口类别
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8542.39.0090 |
| RoHS (HIP2211FBZ-T) | 下载 |
产品属性
| Lead Count (#) | 8 |
| Carrier Type | Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 4.9 x 3.9 x 1.47 |
| Pitch (mm) | 1.3 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pb Free Category | Nickel/Palladium/Gold-Silver - e4 |
| Temp. Range (°C) | -40 to +125°C |
| Country of Assembly | PHILIPPINES |
| Country of Wafer Fabrication | TAIWAN |
| Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 115 |
| Charge Pump | No |
| Fall Time | 20 |
| Input Logic Level | 3.3V/TTL |
| Length (mm) | 4.9 |
| Longevity | 2033 12月 |
| MOQ | 2500 |
| Parametric Category | Half-Bridge FET Drivers |
| Peak Pull-down Current (A) | 4 |
| Peak Pull-up Current (A) | 3 |
| Pkg. Type | SOICN |
| Price (USD) | $0.92298 |
| Qualification Level | Standard |
| Rise Time (μs) | 0.02 |
| Simulation Model Available | iSim |
| Thickness (mm) | 1.47 |
| Turn-Off Prop Delay (ns) | 15 |
| Turn-On Prop Delay (ns) | 15 |
| VBIAS (Max) (V) | 18 |
| Width (mm) | 3.9 |
有关 HIP2211 的资源
描述
HIP2211 是一款 100V、3A 拉电流、4A 灌电流高频半桥 NMOS FET 驱动器。 HIP2211 具有标准的 HI/LI 输入，并与流行的瑞萨电子桥式驱动器（如 HIP2101 和 ISL2111）引脚兼容。 其工作电压范围宽达 6V 至 18V，并集成了高压侧自举二极管，可在 100V 半桥应用中驱动高压侧和低压侧 NMOS。
该驱动器具有强大的 3A 源电流、4A 灌电流驱动器功能，典型传播延迟 15ns，典型延迟匹配 2ns，是高频开关应用的理想选择。 VDD 和启动 UVLO 可防止欠压运行。
HIP2211采用 8 引脚 SOIC、8 引脚 4x4mm DFN 和 10 引脚 4x4mm TDFN 封装。